2024-08-14 09:31:54
每經(jīng)AI快訊，記者從復(fù)旦大學(xué)獲悉，該校周鵬-劉春森團隊從界面工程出發(fā)，在國際上首次實現(xiàn)了最大規(guī)模1Kb納秒超快閃存陣列集成驗證，并證明了其超快特性可延伸至亞10納米。相關(guān)研究成果12日發(fā)表于國際期刊《自然·電子學(xué)》。
該研究團隊研發(fā)了不依賴先進光刻設(shè)備的自對準(zhǔn)工藝，結(jié)合原始創(chuàng)新的超快存儲疊層電場設(shè)計理論，成功實現(xiàn)了溝道長度為8納米的超快閃存器件。該器件是目前國際最短溝道閃存器件，突破了硅基閃存物理尺寸極限，約15納米。（科技日報）
特別提醒：如果我們使用了您的圖片，請作者與本站聯(lián)系索取稿酬。如您不希望作品出現(xiàn)在本站，可聯(lián)系我們要求撤下您的作品。
歡迎關(guān)注每日經(jīng)濟新聞APP
Copyright ? 2024 每日經(jīng)濟新聞報社版權(quán)所有，未經(jīng)許可不得轉(zhuǎn)載使用，違者必究。
廣告熱線? 北京: 010-57613265，?上海: 021-61283008，?廣州: 020-84201861，?深圳: 0755-83520159，?成都: 028-86512112
