每經(jīng)記者｜朱成祥    每經(jīng)編輯｜梁梟    

在2020年的A股市場(chǎng)，中芯國(guó)際（SH688981）是最受矚目的上市公司之一。當(dāng)年6月1日，中芯國(guó)際IPO申請(qǐng)獲受理，僅一個(gè)月時(shí)間便注冊(cè)生效，7月16日成功登陸科創(chuàng)板。中芯國(guó)際發(fā)行價(jià)27.46元/股，上市當(dāng)日以95元/股價(jià)格開(kāi)盤，市值突破6000億元。

在資本市場(chǎng)，中芯國(guó)際備受追捧，一時(shí)風(fēng)頭無(wú)兩。在技術(shù)層面，中芯國(guó)際于2019年量產(chǎn)14納米FinFET工藝，成為全球少數(shù)掌握FinFET技術(shù)的晶圓制造廠商。

坐擁資本市場(chǎng)支持，技術(shù)上又有聯(lián)席CEO梁孟松坐鎮(zhèn)，中芯國(guó)際雄心勃勃開(kāi)始對(duì)行業(yè)領(lǐng)頭羊臺(tái)積電、三星發(fā)起“跳代”式追趕。彼時(shí)，在梁孟松帶領(lǐng)下，中芯國(guó)際著手研發(fā)的N+1、N+2被業(yè)內(nèi)認(rèn)為接近于8納米、7納米。在格羅方德、聯(lián)電放棄攻堅(jiān)7納米后，中芯國(guó)際幾乎成為晶圓代工領(lǐng)域先進(jìn)制程的唯一追趕者。

由于受到美國(guó)無(wú)理打壓，中芯國(guó)際先進(jìn)工藝的研發(fā)、量產(chǎn)遇到困難，公司公告中對(duì)先進(jìn)工藝的披露也越來(lái)越少。不過(guò)，先進(jìn)工藝只是廣闊半導(dǎo)體市場(chǎng)的一部分，中芯國(guó)際在成熟工藝、特色工藝上仍有長(zhǎng)足發(fā)展空間。

創(chuàng)業(yè)維艱

2000年4月，中芯國(guó)際在上海浦東正式成立。當(dāng)年8月，中芯國(guó)際廠房開(kāi)始在張江建設(shè)。

中芯國(guó)際創(chuàng)業(yè)前不久，正值美股科網(wǎng)股泡沫高峰期。2000年3月，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)一度超過(guò)1300點(diǎn)。然而，自中芯國(guó)際成立的4月起，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)一路向下，到2002年10月甚至跌至200點(diǎn)左右。作為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的風(fēng)向標(biāo)，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)大幅下跌，無(wú)疑標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)陷入低谷。

在國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)配套稀缺，行業(yè)又處于低谷期之際，中芯國(guó)際逆勢(shì)而上，迅速建設(shè)多座晶圓工廠。2001年，中芯國(guó)際上海8英寸生產(chǎn)基地建設(shè)完成；2002年，中芯國(guó)際北京12英寸生產(chǎn)基地奠基，并實(shí)現(xiàn)0.18微米的全面技術(shù)認(rèn)證和量產(chǎn)；2003年，中芯國(guó)際收購(gòu)天津摩托羅拉晶圓廠并成立中芯天津。此間，中芯國(guó)際陸續(xù)實(shí)現(xiàn)0.35微米～0.13微米的全面技術(shù)認(rèn)證與量產(chǎn)。

2004年，中芯國(guó)際首次實(shí)現(xiàn)盈利，并于港交所與紐交所上市。此時(shí)，中芯國(guó)際已經(jīng)是國(guó)際晶圓代工市場(chǎng)不可忽視的力量。

取得成績(jī)的同時(shí)，專利訴訟也隨之而來(lái)。2003年12月，臺(tái)積電提起訴訟，稱中芯國(guó)際侵犯其若干專利。2005年1月，中芯國(guó)際與臺(tái)積電一度就此達(dá)成和解。

此后，中芯國(guó)際發(fā)展勢(shì)頭不減。2005年，臺(tái)積電試產(chǎn)65納米制程，2006年第四季度開(kāi)始量產(chǎn)；中芯國(guó)際也于2007年掌握了65納米制程，并迅速布局45納米制程；2007年12月，中芯國(guó)際與IBM簽訂45納米Bulk COMS技術(shù)許可協(xié)定。

2006年8月，臺(tái)積電再度發(fā)起訴訟，理由是中芯國(guó)際違反和解協(xié)議。2009年，中芯國(guó)際與臺(tái)積電達(dá)成和解。但此后，創(chuàng)始人張汝京離職，隨后的“王楊之爭(zhēng)”讓中芯國(guó)際錯(cuò)過(guò)發(fā)展機(jī)遇。

芯片的發(fā)展需要一代一代不斷積累。一步落后，難免步步落后。

崛起歷史能否重現(xiàn)？

梁孟松加入后，中芯國(guó)際追趕臺(tái)積電的進(jìn)程迎來(lái)轉(zhuǎn)機(jī)。

2017年10月，梁孟松加入中芯國(guó)際。自此，中芯國(guó)際迎來(lái)工藝制程“跳代”式發(fā)展。比如越過(guò)22納米，從28納米直接進(jìn)入14納米。2019年，中芯國(guó)際取得重大進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)14納米FinFET量產(chǎn)，邁入了FinFET時(shí)代。彼時(shí)，中芯國(guó)際進(jìn)一步“跳代”，跳過(guò)10納米，直接進(jìn)入8納米、7納米。此前，有行業(yè)人士在接受《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者采訪時(shí)曾透露，中芯國(guó)際的N+1、N+2就相當(dāng)于8納米、7納米。

然而好景不長(zhǎng)，自2020年10月以來(lái)，中芯國(guó)際遭遇美國(guó)多輪所謂的“制裁”。為此，中芯國(guó)際戰(zhàn)略方向已從先進(jìn)工藝制程轉(zhuǎn)向成熟工藝、特色工藝。公司陸續(xù)在北京、上海、深圳、天津興建12英寸晶圓工廠。這些工廠的工藝制程均對(duì)準(zhǔn)28納米及以上，并不在美國(guó)所謂的“制裁”范圍內(nèi)。

中芯國(guó)際登陸科創(chuàng)板時(shí)正是芯片行業(yè)高景氣時(shí)期。2020年7月，中芯國(guó)際登陸科創(chuàng)板，而自2020年下半年以來(lái)，半導(dǎo)體行業(yè)陷入“缺芯潮”。因此，盡管遭遇困難，中芯國(guó)際還是交出了多份靚麗的業(yè)績(jī)“答卷”。

不過(guò)，進(jìn)入2022年，芯片行業(yè)供求關(guān)系逆轉(zhuǎn)，除了汽車電子等細(xì)分領(lǐng)域外，半導(dǎo)體行業(yè)普遍由“缺芯潮”轉(zhuǎn)入“砍單潮”，2022年下半年下行趨勢(shì)尤為明顯。在此背景下，中芯國(guó)際產(chǎn)能利用率逐漸下降。2022年一季度，其產(chǎn)能利用率尚且高達(dá)100.4%，二季度下降至97.1%，三季度進(jìn)一步下降至92.1%。

一方面，產(chǎn)能利用率持續(xù)下降，另一方面，四大12英寸晶圓廠正在建設(shè)。是否有足夠大的市場(chǎng)來(lái)填補(bǔ)中芯國(guó)際待投產(chǎn)產(chǎn)能，尚需進(jìn)一步觀察。

此前，中芯國(guó)際的崛起就是在行業(yè)低谷期逆勢(shì)擴(kuò)張。2000年～2002年，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)連續(xù)三年下跌，中芯國(guó)際逆勢(shì)投建工廠，異軍突起。如今，中芯國(guó)際在行業(yè)低谷期逆勢(shì)擴(kuò)張產(chǎn)能的劇情能否重演，值得期待。

注：FinFET，F(xiàn)in Field-Effect Transistor的簡(jiǎn)稱，指鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管，可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。

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